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学者、这里面包含了一些数学家等等，都汇聚在这件会议室里研讨。
现在讨论的重点就是第三代蔚蓝手机的处理器，新产品的芯片处理器采用的是45纳米制程工艺，这已经确定了，而且很多技术已经搞定了。
一位资深研究专家环视众人说道：“我们的研发部门想到的是用金属做栅极，因为金属有一个效应叫做镜像电荷，可以中和掉高K材料的绝缘层里的偶极子对沟道和费米能级的影响。这样一来就两全其美了，但这几种金属究竟是什么，除了掌握该技术的那几家西方高科技企业之外，外界没人知道，这是他们的商业机密。”
绝缘层是晶体管所有的构件中，最为关键的一个，它的作用是隔绝栅极和沟道。因为栅极开关沟道是通过电场进行的，而电场的产生又是通过在栅极上加一定的电压来实现。
欧姆定律告诉人类，有电压就有电流。
如果电流从栅极流进了沟道，那还谈什么开关？
早就漏了。
另一位与会研究学者发言道：“二氧化硅虽好，但在尺寸缩小到一定限度时也出现了问题。在此过程中，电场强度是不变的，那么从能带角度来看，因为电子的波动性，如果绝缘层很窄很窄的话，就有一定几率电子会发生隧穿效应而越过绝缘层的能带势垒，产生漏电流。”
说着，这名学者比划着道：“可以想象为穿过一堵比自己高的墙，这个电流的大小和绝缘层的厚度，以及绝缘层的‘势垒高度’成负相关。因此厚度越小，势垒越低，漏电流越大，对晶体管越不利。另一方面，晶体管的开关性能、工作电流等都需要有一个很大的绝缘层电容。”
“可以看出，这里已经出现了一堆设计目标上的矛盾，绝缘层的厚度要不要继续缩小，实际上在这个节点之前，二氧化硅已经缩小到了不到两个纳米的厚度，也就是十几个原子层的厚度，漏电流的问题已经取代了性能问题成为了头号大敌。”
说到这里，会议室里一众学者都安静了下来。
坐在这里的都是最聪明的那批人类，有问题当然开始想办法。
人类是很贪心的，既不愿意放弃大电容的性能增强，也不愿意冒漏电的风险。
现在的情况是，需要一种材料，需要介电常数很高，同时能带势垒也很高，如此一来就可以在厚度不缩小的情况下，继续提升电容。
换句话说就是保护漏电流，又能提高开关性能这样的材料。
在学术界，近些年陆续提出了各种脑洞大开的新设计，比如隧穿晶体管、负电容效应晶体管、碳纳米管等等。
但其实所有这些设计，基本上就四个方向，材料、机理、工艺和结构。
这时，徐至军瞄了眼罗晟然后环顾众人发言道：“石墨烯晶体管呢？石墨烯作沟道的思路是第二项，就是运输，因为石墨烯的电子迁移率远远高于硅。”
此话一出，一位学者摇头说道：“这种神奇的材料的确很有想象空间，但问题是石墨烯晶体管没有什么进展，大多都是概念和理论阶段，还有石墨烯有个硬伤，就是不能饱和电流，但我注意到西方学术界有人表示未来或许可以做到调控石墨烯的能带间隙打开到关闭，不再仅仅是零带隙，不管怎么说石墨烯是一个很有未来前进的材料，但现在谈这个未免为时过早。”
徐至军旋即看向罗晟问道：“罗总，你怎么看？”
此时，罗晟正看着会议大屏幕上的数据信息和一个理论模型，众人也齐刷刷的把目光落在了他的身上，后者盯着屏幕上的数据和函数模型说道：
“听你们的讨论，我一直在思考一个问题，既然电子是在沟道中运动，那我为什么非要在沟道下面留有这么大一片耗尽层呢？当然里面的理由我知道，因为物理模型需要这片区域来平衡电荷。但是在短沟道器件里面，没有必要非要把耗尽层和沟道放在一起，等着漏电流白白地流过去。”
一群学者面面相觑，这个问题他们从来没有想过。
罗晟打了个响指，示意一位学者然后盯着会议大屏幕上的数据模型说道：
“按我说的修改一下，把这部分硅直接给我拿掉，换成绝缘层，绝缘层下面才是剩下的硅，这样沟道就和耗尽层分开了，因为电子来源于两极，但是两极和耗尽层之间被绝缘层隔开了，这样除了沟道之外，就不会漏电了。”
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所有人都眼前一亮，仿佛拨云见雾一般豁然开朗。
大家都是人类当中智商最顶尖的那批人，罗晟这么一说瞬间就懂了。
徐至军颇为振奋的说道：“绝妙的点子，罗总不愧是设计天才，一语中的，深切要害啊！我们这么多人怎么就没有想到呢？”
……